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SiA443DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.12
I D = 4.7 A
0.10
10
0.0 8
125 °C
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.06
1
25 °C
0.04
0.1
0.02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.9
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Soure-Drain Diode Forward Voltage
30
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0. 8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
I D = 250 μ A
25
20
15
10
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited b y R DS(on)*
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74474
S-80435-Rev. B, 03-Mar-08
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